Vishay高效80 V MOSFET,实现最佳优值系数

2020-02-10来源: EEWORLD关键字:Vishay  MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的---SiR680ADP,它是80 V TrenchFET® 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率,从而节省能源,其导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)为129 mW*nC,达到同类产品最佳水平。

 

image.png


日前发布的器件10 V条件下导通电阻典型值降至2.35 mΩ,超低栅极电荷仅为55 nC,COSS为614 pF。这些改进后的技术规格,经过调校最大限度降低开关、通道导通和二极管导通功耗,从而提高能效。这款MOSFET的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)比紧随其后的竞争产品低12.2 %,比前代器件低22.5 %,使其成为典型48 V输入,12 V输出DC/DC转换器最高效的解决方案。

 

SiR680ADP可作为模块用于各种DC/DC和AC/DC转换应用,如同步整流、原边开关、降压-升压转换器,谐振回路开关转换器以及系统OR-ing功能,适用于电信和数据中心服务器电源、太阳能微型逆变器、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

 

新款MOSFET经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

 

SiR680ADP现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。


关键字:Vishay  MOSFET 编辑:muyan 引用地址:http://news.2689mr.com/dygl/ic487743.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:TDK全新紧凑型电容器出炉,具有超高纹波电流能力
下一篇:最后一页

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

Vishay新型TMBS®整流器可显著提高功率密度
日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE股市代号:VSH) 宣布,推出16款采用eSMP®系列超薄SMP(DO-220AA)封装的新型2 A和3 A器件,扩充其表面贴装TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器产品。Vishay General Semiconductor整流器反向电压覆盖从45 V到200 V范围,3 A电流等级达到业内SMP封装器件最高水平,显著提高功率密度。 日前发布的整流器2 A和3 A器件正向压降分别为0.36 V和0.37 V,可降低商用和工业用高频逆变器、DC/DC转换器、续流二极管和极性保护二极管功耗,提高效率。器件还提供适于
发表于 2020-01-23
Vishay新型TMBS®整流器可显著提高功率密度
Vishay新型接近传感器,小体积低功耗
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出两款全集成新型接近传感器--- VCNL36821S和VCNL36826S,提高消费类和工业应用效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36821S和VCNL36826S分别在2.55 mm x 2.05 mm x 1.0 mm小型表面贴封装中集成红外(IR)发射器、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、光电二极管、信号处理IC和12位ADC。 与上一代器件相比,日前发布的接近传感器体积小,成本低,适用于空间有限的电池供电应用,如检测用户是否佩戴耳麦或虚拟现实/增强现实(VR / AR)头盔。器件探测距离
发表于 2020-01-15
Vishay新型接近传感器,小体积低功耗
Vishay全新IHDF边绕电感器可减少功耗,提高效率
这款通孔器件采用铁粉磁芯技术,直流电阻低,有助于减少功耗,提高效率 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款新型IHDF边绕通孔电感器---IHDF-1300AE-10,额定电流72 A,饱和电流高达230 A,适合用于工业和国防应用。Vishay Dale IHDF-1300AE-10采用铁粉磁芯技术,最大高度仅为15.4 mm,在-55 °C至+125 °C严苛的工作温度范围内,交流和直流功耗低,具有优异的散热性能。 日前发布的这款器件边绕线圈最大直流电阻(DCR)低至1.1 mW,最大限度减少损耗,有助于改善额定电流性能,提高效率。与铁氧体解决方案相比
发表于 2019-12-13
Vishay全新IHDF边绕电感器可减少功耗,提高效率
Vishay新款共漏极双N沟道60 V MOSFET,提高功率密度和效率
器件适用于24 V系统双向开关,最佳RS‑S(ON)典型值低至10 mW单位面积RS-S(ON)达业内最低水平日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件,专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。 日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60 V器件
发表于 2019-12-11
Vishay新款共漏极双N沟道60 V MOSFET,提高功率密度和效率
Vishay推出高度仅为1.0 mm小型商用电感器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款公司迄今体积最小的新型商用IHLP®超薄、大电流电感器--- IHLP-1212AZ-51、IHLP-1212AB-51和IHLP‑1212BZ-51。Vishay Dale IHLP-1212AZ-51、IHLP-1212AB-51和IHLP‑1212BZ-51采用3.3 mm x 3.3 mm 1212外形尺寸,工作温度达+155 °C,节省计算机和电信系统应用空间,高度仅为1.0 mm。 日前发布的器件用于DC/DC转换器储能时频率可达5 MHz。同时,电感器在自谐振频率(SRF)范围内大电流滤波应用中具有出色的噪音衰减性能。应用
发表于 2019-12-04
Vishay推出高度仅为1.0 mm小型商用电感器
Vishay HVCC系列产品荣获2019 AspenCore全球电子成就奖
径向引线高压单层瓷片电容获年度高性能元器件奖 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,公司的HVCC系列径向引线高压单层瓷片电容器荣获2019 AspenCore全球电子成就奖年度高性能元器件奖。该器件无需并联两个1 nF电容即可达到2 nF电容值,紧凑的外形尺寸显著节省PCB空间。 由全球电子技术领域最大媒体集团AspenCore颁发的全球电子成就奖(WEAA),旨在表彰对推动全球电子行业创新发展做出杰出贡献的企业和个人。获奖产品由全球各地的工程师在线投票选出。今年,Vishay的HVCC系列产品在高性能元器件评比中获得最多选票。 HVCC系列电容器容量范围100 pF
发表于 2019-12-03
小广播
更多每日新闻
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 2689mr.com, Inc. All rights reserved
充话费送彩金 赛车网站首存送彩金 免费送彩金28元 足彩送彩金 2019白菜网送彩金 彩票大赢家 彩金宏辉送彩金 彩票大赢家 娱乐平台加微信送彩金 pk10机器人